Référence fabricant | S3HVM5 |
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Numéro de pièce future | FT-S3HVM5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S3HVM5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 5000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 5.75V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 5000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3HVM5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S3HVM5-FT |
A180RN
Powerex Inc.
A180RP
Powerex Inc.
A180RPB
Powerex Inc.
A180RPD
Powerex Inc.
A180RPE
Powerex Inc.
A187B
Powerex Inc.
A187D
Powerex Inc.
A187M
Powerex Inc.
A187N
Powerex Inc.
A187P
Powerex Inc.
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel