maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / S3GB-TP
Référence fabricant | S3GB-TP |
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Numéro de pièce future | FT-S3GB-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S3GB-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3GB-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S3GB-TP-FT |
UFS515J/TR13
Microsemi Corporation
UFS515JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS520J/TR13
Microsemi Corporation
UFS520JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS530J/TR13
Microsemi Corporation
UFS530JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS540J/TR13
Microsemi Corporation
UFS540JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS550J/TR13
Microsemi Corporation
UFS550JE3/TR13
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel