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Référence fabricant | S3BHM6G |
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Numéro de pièce future | FT-S3BHM6G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
S3BHM6G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3BHM6G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S3BHM6G-FT |
S3ABHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3BB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3G R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3GB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3JB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3K R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3KB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3MB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S4A V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S4B V7G
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LCMXO2-7000ZE-1TG144C
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A54SX16A-1FG144
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EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
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EP4SE530H40I3
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XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel