maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S34MS04G200BHI900
Référence fabricant | S34MS04G200BHI900 |
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Numéro de pièce future | FT-S34MS04G200BHI900 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MS-2 |
S34MS04G200BHI900 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 45ns |
Temps d'accès | 45ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-BGA (11x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS04G200BHI900 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S34MS04G200BHI900-FT |
S34ML01G200BHI903
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHV003
Cypress Semiconductor Corp
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel