maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S34MS04G200BHI003
Référence fabricant | S34MS04G200BHI003 |
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Numéro de pièce future | FT-S34MS04G200BHI003 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MS-2 |
S34MS04G200BHI003 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 45ns |
Temps d'accès | 45ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-BGA (11x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS04G200BHI003 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S34MS04G200BHI003-FT |
S34ML01G200BHI900
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHI903
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHV000
Cypress Semiconductor Corp
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
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LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
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5SGXEA9N3F45I4N
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
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EP3SE50F780C4
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