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Cypress Semiconductor Corp S34MS02G104BHB013

Numéro de pièce MFG
S34MS02G104BHB013
quantité disponible
95510 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Cypress Semiconductor Corp
Brève description
Automotive, AEC-Q100, MS-1 IC FLASH 2G PARALLEL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
S34MS02G104BHB013.pdf
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S34MS02G104BHB013 Caractéristiques

Référence fabricant S34MS02G104BHB013
Numéro de pièce future FT-S34MS02G104BHB013
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q100, MS-1
S34MS02G104BHB013 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de mémoire Non-Volatile
Format de mémoire FLASH
La technologie FLASH - NAND
Taille mémoire 2Gb (128M x 16)
Fréquence d'horloge -
Ecrire le temps de cycle - Word, Page 45ns
Temps d'accès 45ns
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 63-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur 63-BGA (11x9)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
S34MS02G104BHB013 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange S34MS02G104BHB013-FT

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