maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S34MS02G104BHB010
Référence fabricant | S34MS02G104BHB010 |
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Numéro de pièce future | FT-S34MS02G104BHB010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MS-1 |
S34MS02G104BHB010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Gb (128M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 45ns |
Temps d'accès | 45ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-BGA (11x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS02G104BHB010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S34MS02G104BHB010-FT |
S34ML04G204BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHV003
Cypress Semiconductor Corp
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel