maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S34MS01G104BHB080
Référence fabricant | S34MS01G104BHB080 |
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Numéro de pièce future | FT-S34MS01G104BHB080 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MS-1 |
S34MS01G104BHB080 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 45ns |
Temps d'accès | 45ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-BGA (11x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS01G104BHB080 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S34MS01G104BHB080-FT |
S70GL02GP13FFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G104BHV010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G104BHV013
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G104BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS08G201BHI000
Cypress Semiconductor Corp
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel