Référence fabricant | S2HVM5 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S2HVM5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S2HVM5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 5000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 5.5V @ 2A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 5000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2HVM5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S2HVM5-FT |
UFS550G/TR13
Microsemi Corporation
UFS550GE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS560G/TR13
Microsemi Corporation
UFS560GE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS570G/TR13
Microsemi Corporation
UFS570GE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS580G/TR13
Microsemi Corporation
UFS580GE3/TR13
Microsemi Corporation
US1KSAFS-13
Diodes Incorporated
UPS130L/TR13
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel