maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / S2HVM10
Référence fabricant | S2HVM10 |
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Numéro de pièce future | FT-S2HVM10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S2HVM10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 10000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 11.1V @ 2A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 10000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2HVM10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S2HVM10-FT |
UFS540G/TR13
Microsemi Corporation
UFS540GE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS550G/TR13
Microsemi Corporation
UFS550GE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS560G/TR13
Microsemi Corporation
UFS560GE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS570G/TR13
Microsemi Corporation
UFS570GE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS580G/TR13
Microsemi Corporation
UFS580GE3/TR13
Microsemi Corporation
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel