maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29WS256RAABHW200E
Référence fabricant | S29WS256RAABHW200E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S29WS256RAABHW200E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | WS-R |
S29WS256RAABHW200E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | 104MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 80ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 84-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 84-FBGA (11.6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29WS256RAABHW200E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29WS256RAABHW200E-FT |
S29GL128N10FFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N11FFA010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N11FFA022
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N11FFA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N11FFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N11FFVR10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N11FFVR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N11FFVR22
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N11TAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128N90FFAR22
Cypress Semiconductor Corp