maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29VS256RABBHI010
Référence fabricant | S29VS256RABBHI010 |
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Numéro de pièce future | FT-S29VS256RABBHI010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VS-R |
S29VS256RABBHI010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | 108MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 80ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 44-FBGA (7.5x5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29VS256RABBHI010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29VS256RABBHI010-FT |
S25FL064LABNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFM013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFV013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFB103
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFI103
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI100
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI101
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI103
Cypress Semiconductor Corp
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
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EP1C12F324C7N
Intel