maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29VS256RABBHI010
Référence fabricant | S29VS256RABBHI010 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S29VS256RABBHI010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VS-R |
S29VS256RABBHI010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | 108MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 80ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 44-FBGA (7.5x5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29VS256RABBHI010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29VS256RABBHI010-FT |
S25FL064LABNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFM013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFV013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFB103
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFI103
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI100
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI101
Cypress Semiconductor Corp
S25FS128SAGNFI103
Cypress Semiconductor Corp