maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29VS256R0SBHW010
Référence fabricant | S29VS256R0SBHW010 |
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Numéro de pièce future | FT-S29VS256R0SBHW010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VS-R |
S29VS256R0SBHW010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | 108MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 80ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 44-FBGA (7.7x6.2) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29VS256R0SBHW010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29VS256R0SBHW010-FT |
S29CL016J0MFAI030
Cypress Semiconductor Corp
S29CL016J0PFFM030
Cypress Semiconductor Corp
S29CL016J1JQFM010U
Cypress Semiconductor Corp
S29CL016J1JQFM030
Cypress Semiconductor Corp
S29CL016J1JQFM033
Cypress Semiconductor Corp
S29CL032J0RQFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29CL032J0RQFI030
Cypress Semiconductor Corp
S29CL032J0RQFM030
Cypress Semiconductor Corp
S29CL032J0RQFM033
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10TFA010
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel