maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29VS064RABBHI010
Référence fabricant | S29VS064RABBHI010 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S29VS064RABBHI010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VS-R |
S29VS064RABBHI010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (4M x 16) |
Fréquence d'horloge | 108MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 80ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 44-FBGA (7.5x5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29VS064RABBHI010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29VS064RABBHI010-FT |
S25FS128SDSNFI101
Cypress Semiconductor Corp
S25FL116K0XNFA010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFI100
Cypress Semiconductor Corp
S25FL127SABNFB100
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFA010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL132K0XNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFM010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128LAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel