maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29GL512S12TFBV20
Référence fabricant | S29GL512S12TFBV20 |
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Numéro de pièce future | FT-S29GL512S12TFBV20 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GL-S |
S29GL512S12TFBV20 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 120ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 56-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S12TFBV20 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29GL512S12TFBV20-FT |
S29GL064S80TFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P11TFI010
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S29GL01GS11TFV020
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S29GL256P11TFIV20
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S29GL512T10TFI020
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S29GL512S11TFIV20
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S29GL064S70TFI020
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XC2S30-5VQ100C
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EP4CE15E22I8L
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LFE3-150EA-7FN1156CTW
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LFE2M50E-6FN900I
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LFE2M70E-7F900C
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