maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29GL512S11WEIV19
Référence fabricant | S29GL512S11WEIV19 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S29GL512S11WEIV19 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GL-S |
S29GL512S11WEIV19 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 110ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S11WEIV19 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29GL512S11WEIV19-FT |
SM28VLT32SKGD3
Texas Instruments
NSEC53K008-IT
Insignis Technology Corporation
NSEC53K016-IT
Insignis Technology Corporation
THGBMHT0C8LBAIG
Toshiba Memory America, Inc.
7005L35G
IDT, Integrated Device Technology Inc
AT28HC256F-90JU
Microchip Technology
70V3599S166DRG
IDT, Integrated Device Technology Inc
NSEC53K004-IT
Insignis Technology Corporation
TH58NVG5S0FTAK0
Toshiba Memory America, Inc.
70T3599S200BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel