maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29GL512S11TFB010
Référence fabricant | S29GL512S11TFB010 |
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Numéro de pièce future | FT-S29GL512S11TFB010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100, GL-S |
S29GL512S11TFB010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 110ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 56-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S11TFB010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29GL512S11TFB010-FT |
S29GL256P90TFCR23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10TFI010
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S29GL128S90TFI020
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S29GL512S10TFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S10TFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128P10TFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS11TFIV10
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XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
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A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
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10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
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LFE2-20SE-5FN256I
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10AX090U4F45I3LG
Intel