maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29GL512S11DHV010
Référence fabricant | S29GL512S11DHV010 |
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Numéro de pièce future | FT-S29GL512S11DHV010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GL-S |
S29GL512S11DHV010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 110ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 64-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 64-FBGA (9x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S11DHV010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29GL512S11DHV010-FT |
S25FL256LAGNFN010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFN011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFN013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFV011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFV013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LDPNFI010
Cypress Semiconductor Corp
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Cypress Semiconductor Corp
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Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LDPNFN011
Cypress Semiconductor Corp
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Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
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Intel
10M16SCE144C8G
Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
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Intel