maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29GL512S10FHSS30
Référence fabricant | S29GL512S10FHSS30 |
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Numéro de pièce future | FT-S29GL512S10FHSS30 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GL-S |
S29GL512S10FHSS30 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 64-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 64-Fortified BGA (13x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S10FHSS30 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29GL512S10FHSS30-FT |
S25FS256SAGNFI000
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFI011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL032P0XNFB000
Cypress Semiconductor Corp
S25FS256SDSNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FS256SAGNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFI010
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel