maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29GL256S11DHVV20
Référence fabricant | S29GL256S11DHVV20 |
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Numéro de pièce future | FT-S29GL256S11DHVV20 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GL-S |
S29GL256S11DHVV20 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 110ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 64-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 64-FBGA (9x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL256S11DHVV20 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29GL256S11DHVV20-FT |
S29CD032J0MQFI000
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQAM010
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S29CD016J0MQFM013
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S29CD016J0MQFM113
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S29CD016J0PQAM013
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S29CD016J0PQAM113
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S29CD016J0PQFM010
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S29CD016J0PQFM113
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J1JQFM010
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S29CD016J1JQFM013
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