maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29GL256S10WEI019
Référence fabricant | S29GL256S10WEI019 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S29GL256S10WEI019 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GL-S |
S29GL256S10WEI019 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Wafer |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL256S10WEI019 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29GL256S10WEI019-FT |
AT45DB641E-CCUN2B-T
Adesto Technologies
AT45DQ321-CCUD-T
Adesto Technologies
AT45DQ321-CCUF-T
Adesto Technologies
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel