maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29GL256S10DHV023
Référence fabricant | S29GL256S10DHV023 |
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Numéro de pièce future | FT-S29GL256S10DHV023 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GL-S |
S29GL256S10DHV023 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 64-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 64-FBGA (9x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL256S10DHV023 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29GL256S10DHV023-FT |
S29CD016J0MQFM110
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQAM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQAM110
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQFM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J1JQAM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J1MQAM113
Cypress Semiconductor Corp
S29CD032J0MQFI000
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQAM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQFM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQFM113
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel