maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29GL256S10DHSS10
Référence fabricant | S29GL256S10DHSS10 |
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Numéro de pièce future | FT-S29GL256S10DHSS10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GL-S |
S29GL256S10DHSS10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 64-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 64-FBGA (9x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL256S10DHSS10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29GL256S10DHSS10-FT |
S29CD032J0MQFM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CL016J0JQFM030
Cypress Semiconductor Corp
S29CL016J0JQFM033
Cypress Semiconductor Corp
S29CL016J0MQFM030
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQFI000
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0JQFM110
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQAM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQAM113
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQFM110
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQAM010
Cypress Semiconductor Corp
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel