maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29GL256S10DHAV10
Référence fabricant | S29GL256S10DHAV10 |
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Numéro de pièce future | FT-S29GL256S10DHAV10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GL-S |
S29GL256S10DHAV10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 64-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 64-FBGA (9x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL256S10DHAV10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29GL256S10DHAV10-FT |
S25FL064LABNFA040
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFA043
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFB040
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFB043
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFN040
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFN043
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABNFV043
Cypress Semiconductor Corp
S25FL132K0XNFV040
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQFM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQFM030
Cypress Semiconductor Corp
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel