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Référence fabricant | S29GL128S10WEI029 |
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Numéro de pièce future | FT-S29GL128S10WEI029 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GL-S |
S29GL128S10WEI029 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 128Mb (8M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 60ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Wafer |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL128S10WEI029 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29GL128S10WEI029-FT |
TH58NVG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
R1WV6416RBG-5SI#B0
Renesas Electronics America
NSEC00K008-IT
Insignis Technology Corporation
AT88SC0204CA-TH
Microchip Technology
NSEC00K004-IT
Insignis Technology Corporation
NSEC00K016-IT
Insignis Technology Corporation
SM28VLT32SKGD3
Texas Instruments
NSEC53K008-IT
Insignis Technology Corporation
NSEC53K016-IT
Insignis Technology Corporation
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel