maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S29GL064N11FFIV10
Référence fabricant | S29GL064N11FFIV10 |
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Numéro de pièce future | FT-S29GL064N11FFIV10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GL-N |
S29GL064N11FFIV10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 110ns |
Temps d'accès | 110ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 64-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 64-FBGA (13x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL064N11FFIV10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S29GL064N11FFIV10-FT |
S29GL128S10FAIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S10FAIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S10FAIV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S10FHI010
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S29GL128S10FHIV10
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S29GL128S10FHIV23
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S29GL128S10FHSS10
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S29GL128S11FHIV10
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EP2C5T144C7
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XCV600-6FG676C
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10M04SFE144C8G
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LFE3-95E-7FN484C
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