maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S27KS0641DPBHB020
Référence fabricant | S27KS0641DPBHB020 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S27KS0641DPBHB020 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS |
S27KS0641DPBHB020 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | PSRAM |
La technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 40ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-VBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S27KS0641DPBHB020 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S27KS0641DPBHB020-FT |
S25FL128SDPNFI000
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPNFI003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDSNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDSNFI003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFI003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFV000
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFV001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFV003
Cypress Semiconductor Corp
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel