maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S27KL0641DABHI030
Référence fabricant | S27KL0641DABHI030 |
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Numéro de pièce future | FT-S27KL0641DABHI030 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HyperRAM™ KL |
S27KL0641DABHI030 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | PSRAM |
La technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 40ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-VBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S27KL0641DABHI030 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S27KL0641DABHI030-FT |
S25FL032P0XNFV013M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABBHA020
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABBHB023
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABBHB030
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S25FL064P0XNFB003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064P0XNFI001M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064P0XNFI003M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064P0XNFV000M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064P0XNFV001M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064P0XNFV003M
Cypress Semiconductor Corp
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
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LCMXO2280C-4T100C
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Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
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EP3SE50F780C4
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