maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S27KL0641DABHB030
Référence fabricant | S27KL0641DABHB030 |
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Numéro de pièce future | FT-S27KL0641DABHB030 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL |
S27KL0641DABHB030 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | PSRAM |
La technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 40ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-VBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S27KL0641DABHB030 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S27KL0641DABHB030-FT |
S25FL032P0XNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL032P0XNFV011M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL032P0XNFV013M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABBHA020
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABBHB023
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064LABBHB030
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064P0XNFB003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064P0XNFI001M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064P0XNFI003M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL064P0XNFV000M
Cypress Semiconductor Corp
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel