maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S26KS512SDGBHN030
Référence fabricant | S26KS512SDGBHN030 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S26KS512SDGBHN030 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HyperFlash™ KS |
S26KS512SDGBHN030 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 96ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-VBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KS512SDGBHN030 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S26KS512SDGBHN030-FT |
FM23MLD16-60-BG
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1011CV33-12AXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1011CV33-12AXIT
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSAGBHBC10
Cypress Semiconductor Corp
S79FL01GSDSBHVC10
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSAGBHBC13
Cypress Semiconductor Corp
S70FL256P0XBHI210A
Cypress Semiconductor Corp
S70FL256P0XBHI210B
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHB210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHB213
Cypress Semiconductor Corp
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation