maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S26KS512SDGBHM030
Référence fabricant | S26KS512SDGBHM030 |
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Numéro de pièce future | FT-S26KS512SDGBHM030 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS |
S26KS512SDGBHM030 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 96ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-VBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KS512SDGBHM030 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S26KS512SDGBHM030-FT |
S70FS01GSDSBHM210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHM213
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHV210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHV213
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S70FS01GSDSMFI010
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S25FL128SAGNFI000
Cypress Semiconductor Corp
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LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
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