maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S26KS512SDGBHB030
Référence fabricant | S26KS512SDGBHB030 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S26KS512SDGBHB030 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS |
S26KS512SDGBHB030 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 96ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-VBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KS512SDGBHB030 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S26KS512SDGBHB030-FT |
S27KL0641DABHI020
Cypress Semiconductor Corp
S26KS512SDPBHB020
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDPBHI020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHA020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHB020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHB030
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHM030
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHN020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHN030
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHV030
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel