maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S26KS512SDABHN030
Référence fabricant | S26KS512SDABHN030 |
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Numéro de pièce future | FT-S26KS512SDABHN030 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HyperFlash™ KS |
S26KS512SDABHN030 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 96ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-VBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KS512SDABHN030 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S26KS512SDABHN030-FT |
S25FL128SAGNFV001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPNFI000
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPNFI003
Cypress Semiconductor Corp
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Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDSNFI003
Cypress Semiconductor Corp
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Intel
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel