maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S26KS512SDABHB030
Référence fabricant | S26KS512SDABHB030 |
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Numéro de pièce future | FT-S26KS512SDABHB030 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS |
S26KS512SDABHB030 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 96ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-VBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KS512SDABHB030 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S26KS512SDABHB030-FT |
FM21LD16-60-BG
Cypress Semiconductor Corp
FM21LD16-60-BGTR
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FM23MLD16-60-BG
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CY7C1011CV33-12AXI
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CY7C1011CV33-12AXIT
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S70FL01GSAGBHBC10
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S79FL01GSDSBHVC10
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S70FL01GSAGBHBC13
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S70FL256P0XBHI210A
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S70FL256P0XBHI210B
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