maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S26KS256SDABHN030
Référence fabricant | S26KS256SDABHN030 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S26KS256SDABHN030 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HyperFlash™ KS |
S26KS256SDABHN030 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (32M x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 96ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-VBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KS256SDABHN030 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S26KS256SDABHN030-FT |
S25FL128P0XNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128P0XNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFM000
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFM003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV013
Cypress Semiconductor Corp
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel