maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S26KL512SDABHM030
Référence fabricant | S26KL512SDABHM030 |
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Numéro de pièce future | FT-S26KL512SDABHM030 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL |
S26KL512SDABHM030 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 96ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-VBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KL512SDABHM030 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S26KL512SDABHM030-FT |
S70FL01GSAGBHBC13
Cypress Semiconductor Corp
S70FL256P0XBHI210A
Cypress Semiconductor Corp
S70FL256P0XBHI210B
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHB210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHB213
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHI210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHM210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHM213
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHV210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHV213
Cypress Semiconductor Corp
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel