maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S26KL512SDABHI030
Référence fabricant | S26KL512SDABHI030 |
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Numéro de pièce future | FT-S26KL512SDABHI030 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HyperFlash™ KL |
S26KL512SDABHI030 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 96ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-VBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KL512SDABHI030 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S26KL512SDABHI030-FT |
S70FS01GSDSBHI210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHM210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHM213
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHV210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHV213
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSMFI010
Cypress Semiconductor Corp
S79FL01GSDSBHVC13
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFI003
Cypress Semiconductor Corp
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel