maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S26KL512SDABHB020
Référence fabricant | S26KL512SDABHB020 |
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Numéro de pièce future | FT-S26KL512SDABHB020 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL |
S26KL512SDABHB020 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 96ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-VBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KL512SDABHB020 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S26KL512SDABHB020-FT |
S26KL256SDABHI020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL512SDABHI020
Cypress Semiconductor Corp
S27KS0641DPBHI020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL256SDABHV020
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S27KL0641DABHI020
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S26KS512SDPBHB020
Cypress Semiconductor Corp
S26KS128SDPBHI020
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S26KL128SDABHA020
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S26KL128SDABHB020
Cypress Semiconductor Corp
S26KL128SDABHB030
Cypress Semiconductor Corp
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