maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S25FS512SAGNFB010
Référence fabricant | S25FS512SAGNFB010 |
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Numéro de pièce future | FT-S25FS512SAGNFB010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100, FS-S |
S25FS512SAGNFB010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O, QPI |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 2V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25FS512SAGNFB010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S25FS512SAGNFB010-FT |
M24C32S-FCU6T/T
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M24C64S-FCU6T/T
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M24C08-FCT6TP/T
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M2GL050TS-1FG484I
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5SGXMA5N3F40C4N
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XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
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