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Référence fabricant | S25FL512SAGBHA210 |
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Numéro de pièce future | FT-S25FL512SAGBHA210 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100, FL-S |
S25FL512SAGBHA210 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-TBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 24-BGA (8x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25FL512SAGBHA210 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S25FL512SAGBHA210-FT |
RC28F256P30TFF TR
Micron Technology Inc.
RC28F640J3F75B TR
Micron Technology Inc.
RD48F2000P0ZBQ0A
Micron Technology Inc.
RD48F4000P0ZBQ0A
Micron Technology Inc.
RD48F4400P0VBQE3
Micron Technology Inc.
RD48F4400P0VBQE4
Micron Technology Inc.
RD48F4400P0VBQEJ
Micron Technology Inc.
RMLV0808BGBG-4S2#AC0
Renesas Electronics America
RMLV0808BGBG-4S2#KC0
Renesas Electronics America
S-34TS04A0B-A8T3U5
ABLIC U.S.A. Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel