maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Thyristors - SCR / S2008F12
Référence fabricant | S2008F12 |
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Numéro de pièce future | FT-S2008F12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S2008F12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Tension - état d'arrêt | 200V |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 1.5V |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 15mA |
Tension - On On (Vtm) (Max) | 1.6V |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | 5.1A |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | 8A |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 30mA |
État actuel - Arrêt (Max) | 10µA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
Type de RCS | Standard Recovery |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-202 Long Tab |
Package d'appareils du fournisseur | TO-202 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2008F12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S2008F12-FT |
VS-ST730C12L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN125V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
AGL400V5-FG256I
Microsemi Corporation
10M08DAF484I7G
Intel
10CL010YM164C6G
Intel
XC6SLX45T-3CSG324C
Xilinx Inc.
XC7A35T-L1CPG236I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM1K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100CQ208C7ES
Intel