maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Thyristors - SCR / S2006FS21
Référence fabricant | S2006FS21 |
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Numéro de pièce future | FT-S2006FS21 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S2006FS21 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Tension - état d'arrêt | 200V |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 800mV |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 200µA |
Tension - On On (Vtm) (Max) | 1.6V |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | 6A |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 6mA |
État actuel - Arrêt (Max) | 5µA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
Type de RCS | Sensitive Gate |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 110°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-202 Short Tab |
Package d'appareils du fournisseur | TO-202 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2006FS21 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S2006FS21-FT |
JAN2N2325
Microsemi Corporation
JAN2N2325A
Microsemi Corporation
JAN2N2325AS
Microsemi Corporation
JAN2N2325AU4
Microsemi Corporation
JAN2N2325S
Microsemi Corporation
JAN2N2325U4
Microsemi Corporation
JAN2N2326
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JAN2N2326A
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JAN2N2326AS
Microsemi Corporation
JAN2N2326AU4
Microsemi Corporation
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
EP1AGX60CF484C6N
Intel
EP1K100FI256-2
Intel
5SGXMBBR3H43C3N
Intel
EP4SE360F35C3
Intel
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
A40MX02-3PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45I3SGE2
Intel
EP2SGX60CF780C3
Intel