maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / S2000AF
Référence fabricant | S2000AF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S2000AF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S2000AF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 700V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 1A, 4.5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 200µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4.5 @ 4.5A, 5V |
Puissance - Max | 50W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | ISOWATT218FX |
Package d'appareils du fournisseur | ISOWATT-218FX |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2000AF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S2000AF-FT |
2SD2206(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206A(T6SEP,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2712-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel