maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / S200-50
Référence fabricant | S200-50 |
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Numéro de pièce future | FT-S200-50 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S200-50 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 110V |
Fréquence - Transition | 1.5MHz ~ 30MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | 12dB ~ 14.5dB |
Puissance - Max | 320W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30A |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | 55HX |
Package d'appareils du fournisseur | 55HX |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S200-50 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S200-50-FT |
MS2206A
Microsemi Corporation
MS2207
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MS2210A
Microsemi Corporation
MS2211
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MS2212
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MS2213
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MS2214
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MS2215
Microsemi Corporation
MS2225H
Microsemi Corporation
MS2226H
Microsemi Corporation
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
AFS600-1FGG484
Microsemi Corporation
APA600-FG484I
Microsemi Corporation
A3P250-FG256
Microsemi Corporation
10AX032E2F29E2SG
Intel
XC6VSX315T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-3PL84I
Microsemi Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel