maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / S1KBHM4G
Référence fabricant | S1KBHM4G |
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Numéro de pièce future | FT-S1KBHM4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
S1KBHM4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1KBHM4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1KBHM4G-FT |
HS2G M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2J M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2K M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2M M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3A V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3B V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3BB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3D V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3D V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel