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Référence fabricant | S1JL RHG |
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Numéro de pièce future | FT-S1JL RHG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S1JL RHG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.8µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1JL RHG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1JL RHG-FT |
RSFJL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel