maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / S1J-JR3
Référence fabricant | S1J-JR3 |
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Numéro de pièce future | FT-S1J-JR3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S1J-JR3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1J-JR3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1J-JR3-FT |
S1K M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2AA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2BA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2BA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2DA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2GA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2JA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK210A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel