maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / S1GLR2G
Référence fabricant | S1GLR2G |
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Numéro de pièce future | FT-S1GLR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S1GLR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.8µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1GLR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1GLR2G-FT |
RR263M-400TR
Rohm Semiconductor
RS 1AV
Sanken
RS 1AV1
Sanken
RS 1BV
Sanken
RS 1BV1
Sanken
RS 4FS
Sanken
RS1GQ-13-F
Diodes Incorporated
RSA39LTE25
Rohm Semiconductor
RU 1
Sanken
RU 1A
Sanken
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel