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Référence fabricant | S1DFSHMWG |
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Numéro de pièce future | FT-S1DFSHMWG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
S1DFSHMWG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-128 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-128 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1DFSHMWG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1DFSHMWG-FT |
SRAS860 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS860HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS890 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS890HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS1045 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFS1601G MNG
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SFS1601GHMNG
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SFS1602G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFS1602GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFS1603G MNG
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A54SX16A-1TQ144I
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XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel