Référence fabricant | S12MR |
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Numéro de pièce future | FT-S12MR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S12MR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 12A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-4 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S12MR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S12MR-FT |
MBR60100R
GeneSiC Semiconductor
MBR6020
GeneSiC Semiconductor
MBR6020R
GeneSiC Semiconductor
MBR6030
GeneSiC Semiconductor
MBR6030R
GeneSiC Semiconductor
MBR6035
GeneSiC Semiconductor
MBR6035R
GeneSiC Semiconductor
MBR6040
GeneSiC Semiconductor
MBR6040R
GeneSiC Semiconductor
MBR6045
GeneSiC Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel